El primer sensor de imagen CMOS apilado del mundo con doble capa de transistores de píxeles. Aunque dicho así no suena como la novedad más apasionante del año, el nuevo captor que Sony acaba de presentar promete ofrecer una mejora notable en la calidad de imagen.
Concretamente en el rango dinámico y control del ruido puesto que la estructura de dos capas que coloca encima los fotodiosos y debajo los transistores promete duplicar la capacidad del CMOS para capturar luz.
Aunque la idea suena similar a los sensores retroiluminados (BSI) aquí se va un paso más allá, permitiendo una mayor superficie sensible y, por tanto, optimizando las dimensiones del CMOS.
De hecho, Sony destaca las posibilidades de esta tecnología para optimizar el rendimiento de sensores pequeños, con lo que cabe suponer que veremos antes un captor de este tipo en algún smartphone que en versión full frame.
Se trata, además, de un sensor apilado, lo que permitiría compatibilizar esa mayor sensibilidad del CMOS con una velocidad de respuesta como la vista en la Sony A1, aplicable incluso a cámaras de teléfonos móviles.
Aunque la idea suena similar a los sensores retroiluminados (BSI) aquí se va un paso más allá, permitiendo una mayor superficie sensible y, por tanto, optimizando las dimensiones del CMOS.
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En los sensores BSI, siempre se ha vendido la historia de que la primera capa eran los fotodiodos y lo demas se encontraba bajo ellos. o sea, no compartían espacio junto a ellos ningún «pixel transistor» ni electrónica de ningún tipo, justamente como ahora quieren presentar el nuevo sensor.
A no ser que en los sensores apilados, si estuviesen los fotodiodos compartiendo superficie con pixel transistor. Según el esquema del dibujo
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